FQPF4N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FQPF4N60
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内容描述：	600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	7 页 / 726 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

FQPF4N60

2000年4月

FQPF4N60

600V N沟道MOSFET

概述

特点

这些N沟道增强型功率场效应

• 2.6A ， 600V ，R

DS （ ON）

= 2.2Ω @V

= 10 V

•低栅极电荷（典型的15 NC）

晶体管都采用Corise Semiconductorÿs专有的，

•低的Crss （典型值8.0 pF的）

平面条形， DMOS技术。

•快速开关

这种先进的技术已特别针对

• 100 ％雪崩测试

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

•改进dv / dt能力

性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。这些装置是公

适用于高效率开关模式电源。

＆ QUOT ;

GD S

！ "

＆ QUOT ;

TO-220F

FQPF系列

绝对最大额定值？

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

- 连续（T

= 25°C)

漏电流

- 连续（T

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

FQFP4N60

600

2.6

1.64

10.4

±30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25°C)

260

2.6

3.6

4.5

0.29

-55到+150

300

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

符号

θJC

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

典型值

最大

3.47

62.5

单位

？°C W¯¯

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