固体钽芯片电容器
钽的MnO
2
组件的性能特点
（续）
20.0
10.0
120赫兹倍频D.F.
10.0
直流泄漏电流倍增器
5.0
参考1.0
在+ 25°C
参考
1.0在120赫兹
1.0
1.0
100
1k
10k
频率 - 赫兹
图6频率对功耗的典型效应
因素
0.1
-60 -40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100 +125
工作温度 - ç
图4
温度对典型作用
直流漏电流
DC泄漏电流减小以减小
施加的电压。
1.0
直流泄漏电流倍增器
0.1
耗散因子是一个非常有用的低频
（120赫兹）的电阻成分的测量
的电容器。它是等效串联的比率
电阻（ESR）的电容性电抗， （Ⅹ
C
)
并且通常用百分比表示。这是
正比于两个电容和频
昆西。在耗散因数失去了它的重要性
更高的频率， （高于约1千赫兹），其中
阻抗（Z）和等效串联电阻
（ESR）是关注的正常参数。
DF = R = 2 FCR DF =损耗因数
X
C
R =等效串联
电阻（欧姆）
X
C
=电容电抗
（欧姆）
F =频率（赫兹）
C =电容系列
（法拉）
DF也称为褐色或“损耗角正切”。
“质量因子”，“问”是DF的倒数。
DF与温度高于+ 25 ℃，并减小
也可能会增加在较低的温度。
不幸的是， DF一个总的限制不能
所有的电容/电压组合规定，
也可以根据温度进行简单的说明。
直流偏置不常用于室温温
TURE ，但更常用于温升高
peratures 。
10.等效串联电阻（ESR）和
阻抗（ Z）
等效串联电阻（ESR ）为预
电阻ferred高频语句
不可避免地出现在这些电容。 ESR
不是纯电阻，并与减小
频率越来越高。
电容器的总阻抗是载体
电容性电抗的总和（Ⅹ
C
）和ESR ，下面
共振;上述共振总阻抗为
感抗的矢量和（Ⅹ
L
）和
ESR 。
7
0.01
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
额定电压的百分比
图5
施加电压的直流典型作用
漏电流。
9.损耗因数（ DF ）
请参阅部件号表最大的DF
极限。
损耗因数的测量是在120赫兹，可达
1.0伏均方根值的最大值，并达到2.0伏的直流
最高+ 25 ℃。直流偏压的应用
使少量减少DF，约0.2％时
全额定电压被施加。 DF随
频率越来越高。
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