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TIP32CF 参数 Datasheet PDF下载

TIP32CF图片预览
型号: TIP32CF
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内容描述: TRIPLE DIFFUSED PNP晶体管(通用) [TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 359 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号TIP32CF的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
一般工业用途。
A
TIP32CF
TRIPLE DIFFUSED PNP晶体管
C
·补充
到TIP31CF 。
F
特点
U
E
S
最大额定值( TA = 25 ℃ )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25℃
Tc=25℃
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-100
-100
-5
-3
-5
-1
2
25
150
-55�½�150
单位
V
V
V
K
T
L
L
M
D
D
N
T
N
T
A
O
Q
1
2
3
DIM毫米
A
10.30 MAX
B
15.30 MAX
C
2.70±0.30
D
0.85最大
E
Φ3.20±0.20
F
3.00±0.30
12.30 MAX
G
0.75最大
R
H
13.60±0.50
J
K
3.90 MAX
L
1.20
1.30
M
V
N
2.54
4.50±0.20
O
P
6.80
2.60±0.20
Q
R
10°
H
S
25°
T
U
0.5
V
2.60±0.15
G
J
B
A
W
W
1.基地
2.收集
3.辐射源
TO-220IS
电气特性(Ta = 25℃)
特征
集电极发射极电压维持
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
跃迁频率
符号
V
CEO ( SUS )
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
测试条件
I
C
= -30mA ,我
B
=0
V
CE
= -60V ,我
B
=0
V
CE
=-100V, V
EB
=0
V
BE
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -4V ,我
C
=-1A
V
CE
= -4V ,我
C
=-3A
I
C
= -3A ,我
B
=-375mA
V
CE
= -4V ,我
C
=-3A
V
CE
= -10V ,我
C
= -500mA F = 1MHz的
分钟。
-100
-
-
-
25
10
-
-
3.0
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-0.3
-200
-1
-
50
-1.2
-1.8
-
V
V
兆赫
单位
V
mA
μ
A
mA
2002. 6. 14
版本号: 0
P
1/2