KDV355E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KDV355E
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内容描述：	硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用：	二极管光电二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 73 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

VCO用于UHF / VHF频段。

特点

低串联电阻值：R

= 0.6 （最大）

小型封装： ESC 。

KDV355E

变容二极管

硅外延平面二极管

阴极标记

高电容比：C

=2.2(Min.)

最大额定值（ TA = 25

特征

反向电压

结温

存储温度范围

)

符号

英镑

等级

150

-55 150

单位

1.阳极

2.阴极

暗淡

MILLIMETERS

1.60 + 0.10

1.20 + 0.10

+ 0.10

0.80

0.30 + 0.05

+ 0.10

0.60

0.13 + 0.05

Esc键

记号

型号名称

电气特性（ TA = 25 ）

特征

反向电流

符号

=15V

= 15V ， TA = 60

= 1V ， F = 1MHz的

= 4V ， F = 1MHz的

= 1V ， F = 470MHz的

测试条件

分钟。

6.40

2.55

2.2

典型值。

马克斯。

100

7.20

2.95

0.6

单位

电容

电容比

串联电阻

2003. 10. 29

版本号： 0

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