KDV350E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KDV350E
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内容描述：	变容二极管硅外延平面二极管（ VCO ） [VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)]
分类和应用：	二极管变容二极管光电二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 68 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

VCO。

特点

KDV350E

变容二极管

硅外延平面二极管

阴极标记

低串联电阻值：R

=0.50

小包装。（ ESC包）

（ MAX 。）

最大额定值（ TA = 25

特征

反向电压

结温

存储温度范围

)

符号

英镑

等级

150

-55

150

单位

1.阳极

2.阴极

暗淡

MILLIMETERS

1.60 + 0.10

_ 0.10

1.20 +

0.80 + 0.10

_ 0.05

0.30 +

0.60 + 0.10

+ 0.05

0.13

Esc键

电气特性（ TA = 25 ）

特征

反向电压

反向电流

电容

电容比

串联电阻

符号

=1 A

=15V

= 1V ， F = 1MHz的

= 4V ， F = 1MHz的

， F = 1MHz的

= 1V ， F = 470MHz的

测试条件

分钟。

15.0

5.3

2.8

典型值。

马克斯。

17.5

6.3

0.5

单位

记号

型号名称

2000. 3. 7

版本号： 0

1/2

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