KDV273E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KDV273E
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内容描述：	硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用：	二极管光电二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 210 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

VCO用于UHF / VHF频段。

特点

高¡

电容比：C

=2.0(Typ.)

ULOW

串联电阻，R

=0.39Ω(Typ.)

KDV273E

变容二极管

硅外延平面二极管

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

特征

反向电压

结温

存储温度范围

符号

英镑

等级

150

-55�½�150

单位

℃

电气特性（Ta = 25℃）

特征

反向电压

反向电流

电容

电容比

串联电阻

= 4V ， F = 1MHz的

= 1V ， F = 470MHz的

7.3

1.8

8.0

2.0

0.39

8.7

0.5

Ω

符号

=1μ

=10V

= 1V ， F = 1MHz的

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

2008. 3. 24

版本号： 1

1/2

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