KDV251S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KDV251S
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内容描述：	硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用：	二极管光电二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 39 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

VCO FOR C / P ， CB PLL

KDV251M/S

变容二极管

硅外延平面二极管

特点

低串联电阻： 0.6 （最大）

高电容比： 1.7 （最小） 2.2 （最大）

最大额定值（ TA = 25

特征

反向电压

结温

存储温度范围

)

符号

英镑

等级

150

单位

DIM毫米

3.20最大

4.30 MAX

0.55最大

2.40 + 0.15

1.27

2.30

14.00+ 0.50

0.60 MAX

1.05

1.45

0.80

0.55最大

0.75

-55 150

1.阳极

2.阴极

分类的电容比GRADE

GRADE

无

电容比（C

1.6V

)

1.70

1.80

1.90

2.00

2.10

2.20

1.82

1.92

2.020

2.12

TO-92M

暗淡

MILLIMETERS

2.93 + 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30最大

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

2.20

GRADE

LOT号

型号名称

1.数控

2.阳极

3.阴极

SOT-23

电气特性（ TA = 25 ）

特征

反向电压

反向电流

电容

电容比

串联电阻

符号

1.6V

= 1V ， F = 50MHz的

测试条件

=10 A

=9V

= 1.6V ， F = 1MHz的

= 5V ， F = 1MHz的

分钟。

1.7

典型值。

马克斯。

200

2.2

0.6

单位

2002. 6. 25

版本号： 4

记号

1/2

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