KDV241E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KDV241E
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内容描述：	硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用：	二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 38 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

天线调谐应用

特点

低的调谐电压： V

=3V.

高电容比：C

0.5V

=3.5(Min.)

优秀简历的特点，跟踪误差小。

阴极标记

KDV241E

变容二极管

硅外延平面二极管

最大额定值（ TA = 25

特征

反向电压

结温

存储温度范围

)

符号

英镑

等级

125

-55 125

单位

1.阳极

2.阴极

暗淡

MILLIMETERS

1.60 + 0.10

_ 0.10

1.20 +

0.80 + 0.10

0.30 + 0.05

0.60 + 0.10

0.13 + 0.05

Esc键

记号

型号名称

电气特性（ TA = 25 ）

特征

反向电流

符号

0.5V

电容

1.5V

电容比

串联电阻

0.5V

=25V

= 0.5V ， F = 1MHz的

= 1.5V ， F = 1MHz的

= 3V ， F = 1MHz的

= 0.5V ， F = 470MHz的

测试条件

分钟。

7.2

3.3

1.8

3.5

典型值。

马克斯。

8.9

4.2

1.3

单位

2007. 6. 11

版本号： 0

1/2

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