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KDV1470 参数 Datasheet PDF下载

KDV1470图片预览
型号: KDV1470
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内容描述: 变容二极管硅外延平面二极管 [VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用: 二极管变容二极管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号KDV1470的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
FM无线电波段调整应用程序。
特点
高电容比:C
1V
/C
5V
=5.0(Min.)
优秀的C -V特性。
电容值的变化小。
A
KDV1470
变容二极管
硅外延平面二极管
L
E
B
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
K
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
G
小包装。
2
3
H
1
最大额定值( TA = 25
特征
反向电压
结温
存储温度范围
)
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
16
150
单位
V
C
N
P
P
L
M
N
P
M
3
1.阳极1
-55 150
2.阳极2
3.阴极
2
1
K
SOT-23
分类的电容比GRADE
GRADE
A
B
C
电容(C
1V
)
65.80
68.27
70.74
69.25
71.72
74.20
型号名称
单位
pF
记号
GRADE
LOT号
S3
电气特性( TA = 25 )
特征
反向电压
反向电流
符号
V
R
I
R
C
1V
C
2V
电容
C
3V
C
4.5V
C
5V
电容比
串联电阻
K
r
S
I
R
=10 A
V
R
=10V
V
R
= 1V , F = 1MHz的
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 3V , F = 1MHz的
V
R
= 4.5V , F = 1MHz的
V
R
= 5V , F = 1MHz的
C
1V
/C
5V
, F = 1MHz的
V
R
= 1.5V , F = 100MHz的
测试条件
分钟。
16
-
65.8
-
-
12.0
-
5.0
-
典型值。
-
-
70
43
24
13.5
12.5
-
0.43
马克斯。
-
50
74.2
-
-
14.8
-
-
0.5
pF
单位
V
nA
2002. 6. 25
版本号: 1
J
1/2