半导体
技术参数
超高速开关应用。
KDS127E
硅外延平面二极管
B
特点
低正向电压
快速反向恢复时间
超小型表面贴装封装
A1
B1
小总电容
A
C
1
6
2
C
5
3
4
最大额定值（ TA = 25
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
)
P
P
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_ 0.05
1.6 +
_
1.2 + 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_
0.5 + 0.05
_
0.12 + 0.05
5
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
80
80
300 *
100 *
2*
200**
150
-55 150
单位
V
V
mA
mA
A
mW
1. D1阳极
2. D2阴极
3. D3 / D4的阳极/阴极
4. D3阳极
5. D4阴极
6. D1 / D2的阳极/阴极
H
J
TES6
*如果D1，D2， D3， D4被独立地或同时使用，
每二极管的最大额定值是那些单个二极管的50 ％ 。
**总评分
等效电路（顶视图）
记号
6
5
型号名称
4
6
5
4
D4
D1
1
2
D3
D2
3
US
1
2
3
电气特性（ TA = 25 ）
特征
正向电压
反向电流
总电容
符号
V
F
I
R
C
T
测试条件
I
F
=100mA
V
R
=80V
V
R
= 6V ， F = 1MHz的
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
1.2
0.1
3.5
单位
V
A
pF
2007. 10. 31
版本号： 0
D
1/3
KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
