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KDR582E 参数 Datasheet PDF下载

KDR582E图片预览
型号: KDR582E
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内容描述: 肖特基型二极管 [SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 347 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号KDR582E的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
对于高速切换。
KDR582E
肖特基型二极管
特点
低反向电流,低电容。
小型封装: ESC 。
阴极标记
C
1
E
2
D
F
最大额定值( TA = 25 )
特征
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
R
V
R
I
F
P
D
*
T
j
T
英镑
等级
4
4
130
150
150
-55 150
单位
V
V
mA
mW
1.阳极
2.阴极
暗淡
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_ 0.10
1.20 +
_
0.80 + 0.10
_
0.30 + 0.05
_
0.60 + 0.10
_
0.13 + 0.05
B
*安装在20 20的玻璃环氧电路板
, 4个4盘尺寸
记号
型号名称
电气特性( TA = 25 )
特征
符号
测试条件
I
F
=0.1mA
正向电压
V
F
I
F
=1mA
I
F
=10mA
反向电流
总电容
串联电阻
I
R
C
T
r
S
V
R
=3V
V
R
= 3V ,T
A
=60
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
= 5毫安中,f = 10kHz的
分钟。
0.2
0.25
0.35
-
-
0.4
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.35
0.45
0.6
0.25
1.25
0.75
15
A
pF
V
单位
2006. 11. 23
版本号: 0
A
Esc键
S4
1/2