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KDR582S 参数 Datasheet PDF下载

KDR582S图片预览
型号: KDR582S
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内容描述: 肖特基型二极管 [SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 47 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号KDR582S的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
对于高速切换。
KDR582S
肖特基型二极管
特点
ULOW
反向电流,低电容。
L
E
B
L
2
A
G
H
1
3
最大额定值( TA = 25 ℃ )
特征
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
符号
V
R
V
R
I
F
T
j
T
英镑
等级
4
4
130
150
-55½150
单位
P
P
V
C
N
V
mA
M
K
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
SOT-23
记号
LOT号
型号名称
MC
电气特性(Ta = 25℃)
特征
符号
测试条件
I
F
=0.1mA
正向电压
V
F
I
F
=1mA
I
F
=10mA
反向电流
总电容
串联电阻
I
R
C
T
r
S
V
R
=3V
V
R
= 3V ,T
A
=60℃
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
= 5毫安中,f = 10kHz的
分钟。
0.2
0.25
0.35
-
-
0.4
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.35
0.45
0.6
0.25
1.25
0.75
15
μ
A
pF
V
单位
J
D
2009. 12. 9
版本号: 0
1/2