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    K3519PQ-XH 参数 Datasheet PDF下载

    K3519PQ-XH图片预览
    型号： K3519PQ-XH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 50 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
     浏览型号K3519PQ-XH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K3519PQ-XH的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    技术参数
    概述
    该K3519PQ -XH为双N沟道MOSFET设计用作一个
    双向负荷开关，通过它的共漏极组态容易。
    K3519PQ-XH
    常见的漏双N沟道
    增强型场效应晶体管
    2000
    特点
    ・
    低通态电阻
    R
    DS(ON)1
    = 16mΩ MAX （V
    GS
    = 4.5V ，我
    S
    =1.0A)
    R
    DS(ON)2
    = 17mΩ MAX （V
    GS
    = 3.9V ，我
    S
    =1.0A)
    R
    DS(ON)3
    = 20MΩ MAX （V
    GS
    = 3.5V ，我
    S
    =1.0A)
    S1
    S2
    1080
    G1
    G2
    BOTTOM ：公共漏
    _
    180
    +
    10
    最大额定值
    （ TA = 25℃除非另有说明）
    特征
    漏源电压
    栅源电压
    存储温度范围
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    T
    英镑
    等级
    24
    ±12
    -55�½�150
    单位
    V
    V
    ℃
    等效电路
    D
    D
    G1
    Rg
    G2
    Rg
    S1
    S2
    2010. 4. 29
    版本号： 0
    1/3

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