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BD136图片预览
型号: BD136
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内容描述: 外延平面PNP晶体管 [EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 68 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
   
半导体
技术参数
一般工业用途。
特点
大电流。 (最大: -1.5A )
C
E
BD136
外延平面PNP晶体管
A
B
D
低电压
(最大: -45V )
直流电流增益:H
FE
= 40分钟。 @I
C
=-0.15A
补充BD135 。
H
J
K
F
G
L
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25
Tc=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-45
-45
-5
-1.5
-0.5
1.25
10
150
-55 150
单位
V
V
V
A
A
W
N
1
2
3
M
O
P
1.发射器
2.收集
3. BASE
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
MILLIMETERS
8.3 MAX
5.8
0.7
_
Φ3.2 +
0.1
3.5
_
11.0
+
0.3
2.9最大
1.0 MAX
1.9最大
_
0.75
+
0.15
_
15.5
+
0.5
_
2.3
+
0.1
_
0.65
+
0.15
1.6
3.4 MAX
TO-126
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
(1)
直流电流增益
h
FE
(2)
h
FE
(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
测试条件
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -30mA ,我
B
=0
I
C
= -5mA ,V
CE
=-2V
I
C
= -150mA ,V
CE
=-2V
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-50mA
分钟。
-
-
-45
25
40
25
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
160
马克斯。
-0.1
-10
-
-
250
-
-0.5
-1.0
-
V
V
兆赫
单位
A
A
V
2003. 6. 16
版本号: 0
1/1