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    BC849_99 参数 Datasheet PDF下载

    BC849_99图片预览
    型号： BC849_99
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 外延平面NPN晶体管 [EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 35 K
    品牌： KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
       
    半导体
    技术参数
    一般工业用途。
    开关应用。
    特点
    对于互补为PNP型BC859 / 860 。
    2
    L
    BC849/850
    外延平面NPN晶体管
    E
    B
    L
    3
    最大额定值（ TA = 25
    特征
    集电极 - 基极电压
    )
    符号
    等级
    30
    50
    30
    45
    5
    100
    350
    150
    -55 150
    0.6mm.
    单位
    V
    C
    1
    BC849
    BC850
    BC849
    BC850
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    *
    T
    j
    T
    英镑
    P
    P
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    P
    MILLIMETERS
    _
    2.93 + 0.20
    1.30+0.20/-0.15
    1.30最大
    0.45+0.15/-0.05
    2.40+0.30/-0.20
    1.90
    0.95
    0.13+0.10/-0.05
    0.00 ~ 0.10
    0.55
    0.20 MIN
    1.00+0.20/-0.10
    7
    A
    G
    N
    H
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    存储温度范围
    V
    1.发射器
    mA
    mW
    2.基
    3.收集
    K
    集电极 - 发射极电压
    V
    M
    SOT-23
    P
    C
    * ：包安装在99.5 ％，氧化铝10 8
    电气特性（ TA = 25 ）
    特征
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极截止电流
    直流电流增益
    基射极电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    噪声系数
    注：H
    FE
    分类
    B:200
    BC849
    BC850
    450,
    BC849
    BC850
    BC849
    BC850
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    （注）
    V
    BE（上）
    1
    V
    BE（上）
    2
    V
    CE （ SAT ）
    1
    V
    CE （ SAT ）
    2
    V
    BE （ SAT ）
    1
    V
    BE （ SAT ）
    2
    f
    T
    C
    ob
    NF
    C:420 800
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    C
    = 10 A，I
    E
    =0
    I
    E
    = 10 A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =5V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0.5mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0.5mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 5V ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    I
    C
    = 200 A，V
    CE
    =5V
    Rg=10k
    ， f≤1kHz
    分钟。
    30
    45
    30
    50
    5
    -
    200
    0.58
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.66
    -
    0.09
    0.2
    0.7
    0.9
    300
    2.5
    -
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    -
    -
    15
    800
    0.7
    0.77
    0.25
    0.6
    -
    -
    -
    4.5
    4.0
    1.0
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    dB
    单位
    V
    V
    V
    nA
    发射极 - 基极击穿电压
    记号
    J
    D
    MARK SPEC
    TYPE
    标志
    BC849B
    2B
    BC849C
    2C
    BC850B
    2F
    BC850C
    2G
    型号名称
    LOT号
    1999. 11. 30
    版本号： 2
    1/1

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