半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
特点
补充BC807W 。
A
J
M
E
B
BC817W
外延平面NPN晶体管
M
D
3
2
1
G
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
45
5
500
-500
100
150
-55 150
单位
L
V
V
V
mA
mA
mW
H
N
K
N
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
1.25 + 0.15
_
0.90 + 0.10
0.3+0.10/-0.05
_
2.10 + 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00~0.10
0.70
0.42
0.10敏
C
1.发射器
2.基
3.收集
USM
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（ 1 ）分类
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
-
100
40
-
-
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
5
马克斯。
0.1
0.1
630
-
0.7
1.2
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
A
A
16:100 250 , 25:160 400 , 40:250 630
记号
MARK SPEC
TYPE
标志
BC817W-16
2M
BC817W-25
2N
BC817W-40
2R
型号名称
LOT号
2008. 9. 2
版本号： 0
1/2
KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
