半导体
技术参数
超高速开关应用
特点
小
封装形式：SOT -23 。
ULOW
转发Voltag ： V
F
=0.9V(Typ.).
·快速
反向恢复时间：吨
rr
=1.6ns(Typ.).
A
G
L
E
B
BAV70
硅外延平面二极管
L
暗淡
A
2
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
小
总电容：C
T
=0.9pF(Typ.).
3
D
B
C
D
E
G
H
J
K
H
1
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
连续正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
85
80
250
2
225*
mW
300**
150
-55�½�150
℃
℃
单位
V
V
mA
A
C
N
P
P
L
M
N
P
M
3
1.阳极1
2.阳极2
3.阴极
2
1
K
SOT-23
*注1 ：包安装在FR- 5委员会（ 25.4 × 19.05 × 1.57毫米）
**注2 ：包安装于99.5 ％的氧化铝（ 10 × 8 × 0.6毫米）
记号
J
LOT号
型号名称
H7
电气特性（Ta = 25℃）
特征
符号
V
F(1)
正向电压
V
F(2)
V
F(3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
t
rr
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=150mA
V
R
=80V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
I
F
=10mA
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.60
0.72
-
-
-
-
马克斯。
-
-
1.25
0.5
3.0
4.0
μ
A
pF
nS
V
单位
2009. 1. 23
版本号： 1
1/2
KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
