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BAV23C 参数 Datasheet PDF下载

BAV23C图片预览
型号: BAV23C
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内容描述: 硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用: 二极管光电二极管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 51 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
 浏览型号BAV23C的Datasheet PDF文件第2页  
半导体
技术参数
高电压开关。
特点
ULOW
漏电流。
*重复
峰值反向电压: V
RRM
≦250V.
ULOW
电容:C
T
≦2pF.
2
L
BAV23C
硅外延平面二极管
E
B
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
K
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
3
A
G
H
1
最大额定值( TA = 25 ℃ )
特征
最大(峰值)反向电压
反向电压
最大(峰值)正向电流
单二极管装。
正向电流
双二极管装。
t = 1μ
s
浪涌电流
(方波)
功耗
结温
存储温度范围
t = 100μ
s
T = 10ms的
P
D
T
j
T
英镑
I
FSM
符号评级
V
RM
V
R
I
FM
I
F
250
200
625
225
mA
125
9
3
1.7
250*
150
-55�½�150
A
A
A
mW
型号名称
P
P
L
M
N
P
单位
V
V
mA
C
N
M
3
1.阳极1
2.阳极2
3.阴极
2
1
K
SOT-23
记号
J
LOT号
注: *设备安装在FR4印刷电路板( PCB)的
U4
电气特性(Ta = 25℃)
特征
正向电压
符号
V
F
测试条件
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=200V
V
R
= 200V ,T
j
=150℃
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
= 10毫安,我
R
= 10毫安,我
RM
=1mA
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
1.0
V
1.25
0.1
100
2
50
μ
A
pF
ns
单位
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
t
rr
2009. 5. 15
版本号: 1
1/2