半导体
技术参数
高电压开关。
特点
高¡
可靠性。
小
表面安装型（ SOT- 23）。
2
L
E
B
BAS21
硅外延平面二极管
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
3
A
G
H
1
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
连续正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
300
250
250
2
250*
mW
300**
150
-55�½�150
℃
℃
单位
V
C
N
P
P
K
L
M
N
P
V
mA
A
1.数控
2.阳极
3.阴极
M
K
J
3
2
1
SOT-23
*注1 ：包安装在FR- 5委员会（ 25.4 × 19.05 × 1.57毫米）
**注2 ：包安装于99.5 ％的氧化铝（ 10 × 8 × 0.6毫米）
记号
型号名称
LOT号
H9
电气特性（Ta = 25℃）
特征
正向电压
反向电流
总电容
反向恢复时间
符号
V
F
I
R(1)
I
R(2)
C
T
t
rr
测试条件
I
F
=150mA
V
R
=250V
V
R
=300V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
R
= 30mA时我
F
=30mA
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
1.25
0.2
100
3
100
单位
V
μ
A
pF
nS
2009. 1. 23
版本号： 1
1/2
KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
