2N7002KA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002KA
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内容描述：	N沟道MOSFET [N Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 375 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

接口和开关应用。

特点

「公共服务电子化

保护2000V 。

高¡

密度电池设计低R

DS （ ON）

●电压

控制小信号开关。

2N7002KA

N沟道MOSFET

ESD保护2000V

暗淡

MILLIMETERS

2.93+ 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30最大

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

·坚固性

可靠。

高¡

饱和电流capablity 。

特征

漏源电压

栅源电压

连续

漏电流

脉冲（注1 ）

吸取功率耗散（注2 ）

结温

存储温度范围

符号

DSS

GSS

英镑

等级

±20

300

单位

1.源

2.门

3.排水

1200

350

150

-55�½�150

℃

SOT-23

注1 ）脉冲宽度≦10㎲，占空比≦ 1 ％

注2 ）封装安装在99 ％氧化铝10 × 8 × 0.6毫米

等效电路

记号

LOT号

型号名称

电气特性（Ta = 25℃）

特征

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

防静电能力*

符号

DSS

GSSF

GSSR

测试条件

= 0V时，我

=10μ

=60V, V

=0V

=20V, V

=0V

=-20V, V

=0V

C = 100pF的， R = 1.5k

正向和反向

方向3脉冲

*失败cirterion ：我

DSS

> 1μ在V

= 60V ，我

GSSF

>10μ在V

= 20V ，我

GSSR

>-10μ在V

=-20V.

分钟。

2000

典型值。

马克斯。

-10

单位

2011. 4. 4

版本号： 1

最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

1/3

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