2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002K
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内容描述：	N沟道MOSFET [N Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 71 K
品牌：	KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]

半导体

技术参数

接口和开关应用。

特点

ESD保护2000V 。

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关。

2N7002K

N沟道MOSFET

ESD保护2000V

暗淡

MILLIMETERS

2.93+ 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30最大

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

坚固可靠。

高饱和电流capablity 。

特征

漏源电压

栅源电压

连续

漏电流

脉冲

（注1 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

300

单位

1.源

2.门

3.排水

1200

300

150

-55 150

漏极功耗

（注2 ）

结温

存储温度范围

注1 ）脉冲宽度10

，占空比

SOT-23

注2 ）封装安装在一个玻璃环氧印刷电路板（100mm，所

1mm)

等效电路

记号

LOT号

型号名称

电气特性（ TA = 25 ）

特征

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

符号

DSS

GSSF

GSSR

测试条件

= 0V时，我

=10 A

=60V, V

=0V

=20V, V

=0V

=-20V, V

=0V

分钟。

典型值。

马克斯。

-10

单位

2009. 11. 17

版本号： 2

最大额定值（ TA = 25

)

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