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2N7002 参数 Datasheet PDF下载

2N7002图片预览
型号: 2N7002
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内容描述: 场效应晶体管 [FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 70 K
品牌: KEC [ KEC(KOREA ELECTRONICS) ]
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半导体
技术参数
接口和开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
电压控制的小信号开关。
坚固可靠。
A
G
L
2N7002
N沟道增强模式
场效应晶体管
E
B
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
K
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
高饱和电流capablity 。
2
3
H
1
最大额定值( TA = 25
特征
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
j
T
英镑
1%
1mm)
等级
60
20
300
mA
1200
300
150
-55 150
mW
单位
V
V
C
N
P
P
L
M
N
P
M
1.源
2.门
3.排水
脉冲
(注1 )
漏极功耗
(注2 )
结温
存储温度范围
注1 )脉冲宽度10
,占空比
K
SOT-23
注2 )封装安装在一个玻璃环氧印刷电路板(100mm,所
2
等效电路
D
记号
G
J
LOT号
型号名称
S
WA
该晶体管静电敏感器件。
请谨慎操作。
电气特性( TA = 25 )
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=10 A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
分钟。
60
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
1
100
-100
单位
V
A
nA
nA
2009. 11. 17
版本号: 4
1/4