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3DD5310A 参数 Datasheet PDF下载

3DD5310A图片预览
型号: 3DD5310A
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内容描述: CASE-额定的双极型晶体管3DD5310低频功放 [CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5310 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION]
分类和应用: 晶体双极型晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 239 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
3DD5310A
绝对额定值( TC = 25 ℃ )
参数
绝对最大额定值
符 号
符号
数 值
价值
1000
600
6
10
20
5
50
150
-55~+150
单 �½�
单位
V
V
V
A
A
W
集电极—基极直流电压
集电极 - 基极电压
集电极—发射极直流电压
集电极 - 发射极电压
发射极—基极直流电压
发射极 - 基极电压
最大集电极电流
集电极电流
最大基极直流电流
基极电流
最大集电极耗散功率
集电极耗散功率
最高结温
最大。结温
储存温度
存储温度范围
直流
DC
脉冲
脉冲
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Tj
T
英镑
电特性
电气特性(TC = 25⊥ )
参数
测试条件
测试条件
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
E
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
= 900V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 5A
I
C
= 3A ,我
B
=0.6A
I
C
= 3A ,我
B
=0.6A
I
C
=5A,2I
B1
=-I
B2
=2A
f
H
=15.75kHz
V
CE
= 10V ,我
C
=0.1A
最小值
最大值
最大
单�½�
单位
V
V
V
V( BR )
首席执行官
V( BR )
CBO
V( BR )
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
f
t
s
f
t
600
1100
6
1
10
20
6
0.5
1.3
0.3
4
1.7
35
mA
μA
V
V
μs
μs
兆赫
版本:201012B
2/5