R
HBR20100
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
符 号
数 值
单 位
Parameter
最大反向重复峰值电压
Symbol
Value
Unit
VRRM
VDC
100
V
V
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
100
20
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流 TC=150℃
整个器件
Average forward
current
(TO-220)
per device
TC=125℃
(TO-220F
TO-220BF
TO-220HF)
IF(AV)
A
A
单
侧
per diode
10
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
IFSM
150
（额定负载8.3ms 半正弦波—按JEDEC 方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Tj
175
℃
℃
Maximum junction temperature
储存温度
TSTG
-40~+150
Storage temperature range
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
Unit
μA
mA
V
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
Tj =25℃
10
5
IR
VR=VRRM
IF=10A
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
0.78
0.65
0.85
0.7
VF
V
热特性THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符 号
最小值
最大值
单 位
Parameter
Symbol
Value(min) Value(max) Unit
结到管壳的热阻
TO-220
TO-220F
TO-220BF
TO-220HF
1.9
Thermal resistance from
junction to case
2.5
Rth(j-c)
℃/W
2.5
2.5
版本(Rev.)：201002I
2/8
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
