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3DD5040 参数 Datasheet PDF下载

3DD5040图片预览
型号: 3DD5040
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内容描述: CASE-额定的双极型晶体管型3DD5040低频 [CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5040 FOR LOW FREQUENCY]
分类和应用: 晶体双极型晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 152 K
品牌: JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
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R
3DD5040
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25
)
Parameter
绝对最大额定值
符 号
Symbol
数 值
Value
1700
750
6
22
44
11
75
150
-55~+150
单 �½�
Unit
V
V
V
A
A
W
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
最大集电极电流
Collector Current
最大基极直流电流
Base Current
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
最高结温
Max. Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature Range
直流
DC
脉冲
Pulse
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Tj
T
STG
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25
)
Parameter
测试条件
Tests conditions
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
E
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
=1500V, I
E
=0
V
EB
=6V, I
C
=0
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 A
V
CE
= 5 V, I
C
= 11 A
I
C
=11A, I
B
=2.75A
I
C
=11A, I
B
=2.75A
I
C
=10A,2I
B1
=-I
B2
=5A
f
H
=15.75kHz
V
CE
=10V, I
C
=0.1A
最小值
Min
最大值
Max
单�½�
Unit
V
V
V
V(BR)
CEO
V(BR)
CBO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
t
f
t
s
f
t
750
1700
6
1
10
20
5
3
1.3
0.3
3.5
2
60
mA
µA
V
V
µs
µs
MHz
版本:200911E
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