R
3DD5017
最大 定
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
符
号
数
值
单
位
Parameter
Symbol
Value
Unit
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
最大集电极电流
1200
V
V
BVCBO
650
6
BVCEO
V
BVEBO
直流 DC
12
24
IC
ICP
A
Collector Current
最大基极直流电流
脉冲 Pulse
6
50
A
IB
Base Current
最大集电极耗散功率
W
PC
Collector Power Dissipation
最高结温
150
Tj
Max. Junction Temperature
储存温度
℃
℃
-55~+150
TSTG
Storage Temperature Range
特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)
项
目
测试条件
最小值
最大值
单位
Parameter
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
Min
Max
Tests conditions
Unit
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IE=0
IE=1mA,IC=0
VCB=1200V, IE=0
VEB=6V, IC=0
650
1200
6
V
V
V
mA
µA
1
10
35
IEBO
VCE = 5 V, IC = 1 A
CE = 5 V, IC = 5 A
15
7
HFE
V
VCE(sat)
VBE(sat)
IC=5A, IB=1A
IC=5A, IB=1A
IC=6A,2IB1=-IB2=2.4A
fH=15.75kHz
0.5
1.3
0.3
3.5
V
V
µs
µs
MHz
tf
ts
ft
VCE=10V, IC=0.1A
2
版本：200911E
2/6
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
