R
3DD13005ED
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
符
号
数
值
单
�½�
Parameter
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
P
C
P
C
T
j
T
stg
Value
700
400
9
4
8
2
4
40
50
75
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W
℃
℃
绝对最大额定值
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大基极直流电流
最大基极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Collector- Emitter Voltage（V
BE
=0）
Collector- Emitter Voltage（I
B
=0）
Emitter-Base Voltage
Collector Current（DC）
Collector Current（pulse）
Base Current（DC）
Base Current（pulse）
Total Dissipation (TO-251/126/126S/220HF)
Total Dissipation (TO-252)
Total Dissipation (TO-220C/262/263)
Junction Temperature
Storage Temperature
注
：
pulse
电流�½度为小于5ms的非重复单脉冲。
Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
<
10%.
电特性
ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项
目
测试条件
Tests conditions
I
C
=10mA,I
B
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
=700V, I
E
=0
V
CE
=400V,I
B
=0
V
EB
=9V, I
C
=0
V
CE
=10V,
V
CE
=5V,
I
C
=2A,
I
C
=2A,
I
C
=500mA
I
C
=2A
最小值
Value(min)
400
700
9
-
-
-
8
5
-
-
-
-
4
典型值
Value(typ)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大值
Value(max)
-
-
-
100
50
10
50
-
1.0
1.8
0.7
5
-
V
V
μS
μS
MHz
单�½�
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
Parameter
V(BR)
CEO
V(BR)
CBO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
Hfe(1)
Hfe(2)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
tf
ts
fT
I
B
=0.4A
I
B
=0.5A
V
CC
=24V I
C
=2A,I
B1
=-I
B2
=0.4A
V
CE
=10V, I
C
=0.5A
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
符
号
最小值
最大值
单
�½�
Parameter
结到管壳的热阻
TO-251/126/126S/220HF
Thermal Resistance Junction Case TO-251/126/126S
结到管壳的热阻
TO-252
Thermal Resistance Junction Case TO-252
结到管壳的热阻
TO-220C/262/263
Thermal Resistance Junction Case TO-220C/262/263
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Value(min) Value(max)
-
-
-
3.125
2.50
1.67
Unit
℃
/W
℃
/W
℃
/W
版本：201103E
2/13
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
