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2SB860 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB860
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内容描述: 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 4 页 / 78 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB860
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -50mA ; ř
BE
=∞
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -1 ;我
B
=-0.1 A
V
CE
= -80V ; ř
BE
=∞
V
EB
= -3.5V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -50mA ; V
CE
=-4V
50
25
-100
-4
-1.0
-100
-50
250
350
典型值。
最大
单位
V
V
V
Α
Α
2