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2SB753 参数 Datasheet PDF下载

2SB753图片预览
型号: 2SB753
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内容描述: 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 98 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -4A ; V
CE
=-1V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
70
30
250
10
-80
-0.3
-0.9
典型值。
2SB753
最大
单位
V
-0.5
-1.4
-5
-5
240
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=- I
B2
= -0.3A ; V
CC
=-30V
R
L
=10Ω
0.4
2.5
0.5
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2