2SB566A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB566A
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内容描述：	硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 80 K
品牌：	JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

（ BR ） CBO

参数

集电极 - 基极击穿电压

2SB566

= -50mA ; ř

=∞

2SB566A

= -10μA ;我

= -2 A ，我

=-0.2 A

= -2 A ，我

=-0.2 A

= -50V ;我

= -0.1A ; V

=-4V

= -1A ; V

=-4V

= -0.5A ; V

=-4V

条件

= -10μA ;我

2SB566 2SB566A

民

-70

-50

典型值。

最大

单位

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

-60

-5

-1.0

-1.2

-1

200

兆赫

μA

（ BR ） EBO

CESAT

BESAT

CBO

FE-1

FE-2

发射极 - 基极击穿votage

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

开关时间

关闭

英镑

开启时间

打开-O FF时间

贮存时间

= -0.5A ; V

=-10.5V

=-I

=-0.05 A

0.3

3.0

2.5

μs

FE-2

分类

60-120

100-200

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