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    2SB1145 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1145图片预览
    型号： 2SB1145
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 41 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SB1145的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1145的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值。
    2SB1145
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CBO
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = -100μA ;我
    E
    =0
    -120
    V
    V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = -5mA ;我
    B
    =0
    -120
    V
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = -1.5A ;我
    B
    =-3mA
    -1.5
    V
    V
    BESAT
    基射极饱和电压
    I
    C
    = -1.5A ;我
    B
    =-3mA
    -2.0
    V
    μA
    I
    CBO
    集电极截止电流
    V
    CB
    =-120V;I
    E
    =0
    -50
    I
    EBO
    发射极截止电流
    V
    EB
    =-5V;I
    C
    =0
    -3.0
    mA
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = -1.5A ; V
    CE
    =-3V
    2000
    2

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