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    2SB1186 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1186图片预览
    型号： 2SB1186
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 56 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SB1186的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1186的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值。
    2SB1186
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = -1mA ;我
    B
    =0
    -120
    V
    V
    （ BR ） CBO
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = -50μA ;我
    E
    =0
    -120
    V
    V
    （ BR ） EBO
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = -50μA ;我
    C
    =0
    -5
    V
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-0.1A
    -2.0
    V
    V
    BESAT
    基射极饱和电压
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-0.1A
    -1.5
    V
    μA
    I
    CBO
    集电极截止电流
    V
    CB
    = -100V ;我
    E
    =0
    -1.0
    I
    EBO
    发射极截止电流
    V
    EB
    = -4V ;我
    C
    =0
    -1.0
    μA
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = -0.1A ; V
    CE
    =-5V
    100
    320
    f
    T
    跃迁频率
    I
    C
    = -0.1A ; V
    CE
    =-5V
    50
    兆赫
    C
    OB
    集电极输出电容
    I
    E
    = 0; F = 1MHz的; V
    CB
    =-10V
    30
    pF
    h
    FE
    分类
    E
    100-200
    F
    160-320
    2

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