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    2SB1160 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1160图片预览
    型号： 2SB1160
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 78 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SB1160的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1160的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1160的Datasheet PDF文件第4页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    V
    CESAT
    V
    BE
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE-1
    h
    FE -2
    h
    FE -3
    C
    OB
    f
    T
    参数
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    直流电流增益
    输出电容
    跃迁频率
    条件
    I
    C
    = -7A ，我
    B
    =-0.7A
    I
    C
    = -7A ; V
    CE
    =-5V
    V
    CB
    = -150V ;我
    E
    =0
    V
    EB
    = -3V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = -20mA ; V
    CE
    =-5V
    I
    C
    = -1A ; V
    CE
    =-5V
    I
    C
    = -7A ; V
    CE
    =-5V
    I
    E
    =0 ; V
    CB
    =-10V;f=1MHz
    I
    C
    = -0.5A ; V
    CE
    =-5V
    20
    60
    20
    330
    20
    民
    典型值。
    2SB1160
    最大
    -2.0
    -1.8
    -50
    -50
    单位
    V
    V
    μA
    μA
    200
    pF
    兆赫
    h
    FE-2
    分类
    Q
    60-120
    S
    80-160
    P
    100-200
    2

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