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    2SA755 参数 Datasheet PDF下载

    2SA755图片预览
    型号： 2SA755
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 50 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2SA755的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA755的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    CESAT
    V
    BE
    I
    CBO
    h
    FE-1
    h
    FE-2
    f
    T
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    集电极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    跃迁频率
    条件
    I
    C
    = -50mA ，R
    BE
    =∞
    I
    C
    = -5mA ，我
    E
    =0
    I
    E
    = -5mA ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -1.5A ;我
    B
    =-0.15A
    I
    C
    = -1A ; V
    CE
    =-4V
    V
    CB
    = -20V ;我
    E
    =0
    I
    C
    = -1A ; V
    CE
    =-4V
    I
    C
    = -0.1A ; V
    CE
    =-4V
    I
    C
    = -0.5A ; V
    CE
    =-4V
    35
    35
    50
    民
    -50
    -50
    -4
    典型值。
    2SA755
    最大
    单位
    V
    V
    V
    -1.3
    -1.5
    -100
    200
    V
    V
    μA
    兆赫
    h
    FE-1
    分类
    A
    35-70
    B
    60-120
    C
    100-200
    2

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