2SA699 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA699
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内容描述：	硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 103 K
品牌：	JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

CESAT

BESAT

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SA699

=-1mA;I

2SA699A

2SA699

= -10mA ;我

2SA699A

CBO

首席执行官

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

= -20V ;我

= -12V ;我

= -5V ;我

= -1A ; V

=-5V

=0; V

=-5V;f=1MHz

= 0.5A ; V

=-5V

条件

= -1.5A ;我

=-0.15A

= -2A ，我

=-0.2 A

2SA699 2SA699A

民

典型值。

-0.4

最大

-1.0

-1.5

单位

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

-40

-50

-32

-40

-1

-100

150

220

兆赫

μA

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

分类

50-100

80-160

100-220

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