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型号: 2SA633
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内容描述: 硅PNP晶体管 [Silicon PNP Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 103 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
   
功率晶体管
www.jmnic.com
2SA633
硅PNP晶体管
BCE
特点
·带
TO- 202封装
绝对最大额定值锝= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
基地集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
2.0
10
150
-55~+150
等级
30
30
5.0
单位
V
V
V
A
A
W
TO-202
电气特性锝= 25
符号
I
CBO
I
EBO
I
首席执行官
V
CBO
V
CEO ( SUS )
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
80
I
C
= 20mA下;我
B
=0
I
E
= 1毫安; IC = 0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
30
5
1.0
V
V
条件
V
CB
= 30V ;我
E
=0
V
EB
= 5.0V ;我
C
=0
V
CE
= 30V ;我
B
=0
TYPE
最大
100
100
0.5
单位
uA
uA
mA