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2SA1102 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1102
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内容描述: 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 46 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2SA1102
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -25mA ;我
B
=0
-80
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
=-0.3A
-1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
=-0.3A
-1.8
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -80V ;我
E
=0
-100
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -6V ;我
C
=0
-100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -2A ; V
CE
=4V
50
f
T
跃迁频率
I
E
= 1A ; V
CE
=-12V
20
兆赫
2