2SA1111 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1111
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内容描述：	硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 81 K
品牌：	JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]

JMnic

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

2SA1111 2SA1112

民

典型值。

最大

单位

2SA1111

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SA1112

= -0.1mA ，我

-150

-180

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

= -10μA ，我

-5

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

= -0.5A ;我

=-50mA

-0.5

-2.0

BESAT

基射极饱和电压

= -0.5A ;我

=-50mA

-1.0

-2.0

μA

CBO

集电极截止电流

= -120V ;我

-1

EBO

发射极截止电流

= -4V ;我

-1

FE-1

FE-2

直流电流增益

= -150mA ; V

=-10V

= -500mA ; V

=-5V

330

直流电流增益

输出电容

=0 ; V

=-10V;f=1MHz

跃迁频率

= 50毫安; V

=-10V

200

兆赫

FE-1

分类

65-110

90-155

130-220

185-330

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