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    2N6654 参数 Datasheet PDF下载

    2N6654图片预览
    型号： 2N6654
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 42 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2N6654的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6654的Datasheet PDF文件第3页  
    JMnic
    产品speci fi cation
    硅NPN功率晶体管
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值。
    2N6654
    最大
    单位
    V
    CEO （ SUS ）
    集电极 - 发射极电压维持
    I
    C
    = 0.1A ;我
    B
    =0
    350
    V
    V
    （ BR ） CBO
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 1毫安;我
    E
    =0
    500
    V
    V
    CEsat-1
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 10A ;我
    B
    =2A
    1.8
    V
    V
    CEsat-2
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 15A ;我
    B
    =3A
    2.2
    V
    V
    BESAT
    基射极饱和电压
    I
    C
    = 15A ;我
    B
    =3A
    V
    CE
    =500V;V
    BE （OFF）的
    =-1.5V
    T
    C
    =150℃
    V
    EB
    = 6V ;我
    C
    =0
    1.8
    0.1
    2.0
    0.1
    V
    I
    CEV
    集电极截止电流
    mA
    I
    EBO
    发射极截止电流
    mA
    h
    FE-1
    直流电流增益
    I
    C
    = 1A ; V
    CE
    =5V
    15
    50
    h
    FE -2
    直流电流增益
    I
    C
    = 10A ; V
    CE
    =15V
    10
    2

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