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    2N5884 参数 Datasheet PDF下载

    2N5884图片预览
    型号： 2N5884
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 45 K
    品牌： JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
     浏览型号2N5884的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N5884的Datasheet PDF文件第3页  
    产品speci fi cation
    www.jmnic.com
    硅PNP功率晶体管
    2N5883 2N5884
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    集电极 - 发射极
    维持电压
    2N5883
    I
    C
    = 0.2A ;我
    B
    =0
    2N5884
    I
    C
    = 15A ;我
    B
    =1.5A
    I
    C
    = 25A ;我
    B
    =6.25A
    I
    C
    = 25A ;我
    B
    =6.25A
    I
    C
    = 10A ; V
    CE
    =4V
    V
    CB
    = RatedV
    CBO
    ; I
    B
    =0
    2N5883
    I
    首席执行官
    集电极截止电流
    2N5884
    集电极截止电流
    (V
    BE （OFF）的
    =1.5V)
    发射极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    直流电流增益
    Trainsistion频率
    集电极电容基地
    V
    CE
    = 40V ;我
    B
    =0
    V
    CE
    = RatedV
    首席执行官
    ;
    V
    CE
    = RatedV
    首席执行官
    ; T
    C
    =150℃
    V
    EB
    = 5V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = 3A ; V
    CE
    =4V
    I
    C
    = 10A ; V
    CE
    =4V
    I
    C
    = 25A ; V
    CE
    =4V
    I
    C
    = 1A ; V
    CE
    =10V;f=1MHz
    I
    E
    =0; V
    CB
    =10V;f=1MHz
    35
    20
    4
    4
    500
    兆赫
    pF
    100
    1
    mA
    10
    1
    mA
    V
    CE
    = 30V ;我
    B
    =0
    2
    mA
    80
    1
    4
    2.5
    1.5
    1
    V
    V
    V
    V
    mA
    条件
    民
    60
    V
    典型值。
    最大
    单位
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CEsat-1
    V
    CEsat-2
    V
    BESAT
    V
    BE
    I
    CBO
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压上
    集电极截止电流
    I
    CEV
    I
    EBO
    h
    FE-1
    h
    FE-2
    h
    FE-3
    f
    T
    C
    CBO
    开关时间
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    I
    C
    = 10A ;我
    B1
    =- I
    B2
    =1A
    V
    CC
    =30V
    0.7
    1
    0.8
    μs
    μs
    μs
    JMnic

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