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2N5298 参数 Datasheet PDF下载

2N5298图片预览
型号: 2N5298
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 47 K
品牌: JMNIC [ QUANZHOU JINMEI ELECTRONIC CO.,LTD. ]
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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5294
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
sustioning电压
2N5296
2N5298
2N5294
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
2N5296
2N5298
2N5294
V
BE
基射极电压上
2N5296
2N5298
2N5294/5298
I
CEV
集电极截止电流
2N5296
I
CER
集电极截止电流
2N5294/5298
2N5294
I
EBO
发射极截止电流
2N5296/5298
2N5294
h
FE
直流电流增益
2N5296
2N5298
f
T
跃迁频率
2N5294
t
on
开启时间
2N5296
2N5298
2N5294
t
关闭
打开-O FF时间
2N5296
2N5298
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N5294 2N5296 2N5298
条件
70
40
60
典型值。
最大
单位
V
I
C
=0.5A;I
B
=0.05A
I
C
=1.0A;I
B
=0.1A
I
C
=1.5A;I
B
=0.15A
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V
I
C
= 1.0A ; V
CE
=4V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=4V
V
CE
=65V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=35V;V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=50V;R
BE
=100Ω
T
C
=150℃
V
EB
= 7V ;我
C
=0
1.0
mA
1.1
1.3
1.5
0.5
3.0
2.0
5.0
0.5
2.0
V
1.0
V
mA
mA
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V
30
I
C
= 1.0A ; V
CE
=4V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
I
C
=0.5A;I
B
=0.05A;V
CC
=30V
I
C
=1.0A;I
B
=0.1A;V
CC
=30V
I
C
=1.5A;I
B
=0.15A;V
CC
=30V
I
C
=0.5A;I
B
=0.05A;V
CC
=30V
I
C
=1.0A;I
B
=0.1A;V
CC
=30V
I
C
=1.5A;I
B
=0.15A;V
CC
=30V
15
μs
5.0
μs
20
0.8
80
兆赫
120
JMnic