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3DD13003 参数 Datasheet PDF下载

3DD13003图片预览
型号: 3DD13003
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR ( NPN )]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 146 K
品牌: JIANGSU [ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]
 浏览型号3DD13003的Datasheet PDF文件第2页  
江苏长电科技股份有限公司
TO- 220塑封装晶体管
3DD13003
特点
晶体管( NPN )
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
·
电源开关应用
最大额定值* T
A
=25
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
价值
700
400
9
1.5
2
-55-150
单位
V
V
V
A
W
123
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE
2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
BE
f
T
t
f
t
s
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
1
除非
TEST
否则
特定网络版)
700
400
9
1000
500
1000
8
5
1
1.2
3
5
0.5
2.5
V
V
V
兆赫
µs
µs
40
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
µA
条件
IC = 1000uA ,我
E
=0
IC = 10 mA时,
I
E
= 1mA时,
I
B
=0
I
C
=0
V
CB
= 700V ,我
E
=0
V
CE
= 400V,
V
EB
= 9 V,
B
=0
I
C
=0
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.5 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 1.5A
I
C
=1000mA,I
B
= 250毫安
I
C
=千毫安,我
B
= 250毫安
I
E
= 2000毫安
V
CE
=10V,Ic=100mA
F = 1MHz的
I
C
=1A,
I
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类
范围
8-10
h
FE
(1)
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40