3EZ6.2D5 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3EZ6.2D5
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内容描述：	3W硅稳压二极管 [3W SILICON ZENER DIODE]
分类和应用：	稳压二极管测试
文件页数/大小：	7 页 / 131 K
品牌：	JGD [ JINAN GUDE ELECTRONIC DEVICE ]

3EZ4.3D5系列

应用说明

因为从一个给定的齐纳可用的实际电压

二极管是温度依赖性的，以确定它是必要

在任何一组的操作条件下的结温

为了计算其值。下面的过程是

推荐：

铅的温度，T

，应当从确定：

+ T

是上述引线的增加的结温

温度，并且可以发现，从图2为一列

功率脉冲（ L = 3/8英寸），或从图10为直流电源。

是引入到环境的热阻（ ° C / W）和

是功耗。对于价值

将各不相同，

取决于设备的安装方法。

一般是

对于各种片段30-40 ℃/ W，并在共同配合分

使用与用于印刷电路板的布线。

引线的温度，也可以使用测得的

热电偶放置在上述引线尽可能接近的

配合点。连接到所述连接点的热质

通常足够大，使得它不会显著

到热响应浪涌在二极管中产生的结果

脉冲操作，一旦稳定状态得以实现。

使用T的测量值

，结温

可通过确定：

= T

对于最坏情况设计，预计使用我的限制

，限制

P的

和T的极端

（ DT

）可以被估计。

改变电压，V

然后，可以得到：

中，齐纳电压的温度系数，是发现

从图5和图6 。

在高功率脉冲操作中，齐纳电压将

随时间而变化，并且也可以由显著影响

齐纳阻力。为了获得最佳的调节，保持电流

游览尽可能低。

图2中的数据不应被用于计算浪涌

能力。电涌限制在图3中给他们

会比只考虑结预期低

温度，因为电流拥挤效应引起的温度

是非常高导致设备的小斑点

降解应图3的极限被超出。

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