3EZ4.3D5系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
设备
（注1 ）
3EZ4.3D5
3EZ6.2D5
3EZ8.2D5*
3EZ10D5
3EZ13D5
3EZ15D5
3EZ16D5
3EZ18D5
3EZ24D5
3EZ36D5
3EZ39D5
3EZ220D5*
3EZ240D5
3EZ330D5
设备
记号
3EZ4.3D5
3EZ6.2D5
3EZ8.2D5*
3EZ10D5
3EZ13D5
3EZ15D5
3EZ16D5
3EZ18D5
3EZ24D5
3EZ36D5
3EZ39D5
3EZ220D5*
3EZ240D5
3EZ330D5
V
Z
（伏）
民
4.09
5.89
7.79
9.50
12.35
14.25
15.2
17.1
22.8
34.2
37.05
209
228
313.5
喃
4.3
6.2
8.2
10
13
15
16
18
24
36
39
220
240
330
最大
4.52
6.51
8.61
10.5
13.65
15.75
16.8
18.9
25.2
37.8
40.95
231
252
346.5
@ I
ZT
mA
174
121
91
75
58
50
47
42
31
21
19
3.4
3.1
2.3
齐纳阻抗
（注3）
Z
ZT
@ I
ZT
W
4.5
1.5
2.3
3.5
4.5
5.5
5.5
6.0
9.0
22
28
1600
1700
2200
Z
ZK
@ I
ZK
W
400
700
700
700
700
700
700
750
750
1000
1000
9000
9000
9000
mA
1
1
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
最大
30
5
5
3
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
伏
1
3
6
7.6
9.9
11.4
12.2
13.7
18.2
27.4
29.7
167
182
251
I
ZM
mA
590
435
330
270
208
180
169
150
112
75
69
12
11
8
I
R
（注4 ）
mA
4.1
3.1
2.44
2.0
1.54
1.33
1.25
1.11
0.83
0.56
0.51
0.09
0.09
0.06
1.
耐性与TYPE号指定
指定公差
−
设备宽容
±5%
通过一个“5”后缀来表示。
2.
齐纳电压（V
Z
）测量
安森美半导体保证齐纳电压时，在40毫秒的测量
±10
毫秒， 3/8“从二极管身体。和环境温度
25 ° C（ + 10°C ，
−2°C)
3.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60秒交流电压，具有均方根值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
.
4.
浪涌电流（I
R
）不重复
在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，反向浪涌的1/2方波电流或
1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流，我
ZT
，根据JEDEC标准。然而，实际的设备
能力是在一般数据手册Surmetic 30岁的图3描述。
*不适在6000 /磁带&卷轴。
5
P
D
，稳定状态功率
功耗（瓦）
L = 1/8″
4
3
L = 3/8″
L =导线长度
到散热器
2
1
L = 1″
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
L
，焊接温度（ ° C）
180
200
图1.电源温度降额曲线
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3
JGD [ JINAN GUDE ELECTRONIC DEVICE ]
