APE ™相位调制器
3
特定网络阳离子
参数
1320纳米
500MHz的PM
PM-130-005
最低
最大
最大
典型
最大
最大
典型
1280纳米
1340纳米
3.5分贝
>50分贝
-20分贝
200毫瓦
<0.1 ％
1550纳米
500MHz的PM
PM-150-005
1510纳米
1570纳米
3.5分贝
>50分贝
-20分贝
200毫瓦
<0.1 ％
1550纳米
高速PM
PM-150-080
1530纳米
1565纳米
4.5分贝
>50分贝
-20分贝
200毫瓦
<0.1 ％
型号说明
光学（注
1
)
工作波长
插入损耗
偏振消光比，芯片
偏振串扰，纤维
输入功率
强度调制（设计）
电气（注
1
)
RF端口
带宽（注
2
)
V
π
在10GHz
阻抗
V
π
在DC
射频功率，未端接选项
射频功率，终止选项
器件电容
S11 ， 0.13 〜14 GHz的，终止
机械
电连接器（包装）
网络的BER
1320纳米的设备， PM输入和输出
1550纳米器件， PM输入和输出
一般
材料
晶体取向
环境的
工作温度
储存温度
1.所有测量结果制成在23℃ ，除非另有说明。
2.测50
Ω
终止。
3.特性阻抗由R和Ce在频率决定。
典型
最大
典型
最大
最大
最大
最大
最大
0.5 GHz的
-
（见注
3
)
3.5 V
27 dBm的
24 dBm的
13 pF的
-
SMA连接器
0.5 GHz的
-
（见注
3
)
4.5 V
27 dBm的
24 dBm的
13 pF的
-
SMA连接器
10 GHz的
11 V
45至50
Ω
6.0 V
-
27 dBm的（见注
4
)
-
-8分贝
K-连接器
藤仓SM 13 -P -7/ 125紫外/紫外400
藤仓SM 15 -P -8/ 125紫外/紫外400
铌酸锂
X切，Y -传播
0至70℃
-40到85°C
4. 10 GHz的行波设备需要客户提供50
Ω
外部termnination 。
注：该设备的设计和制造，以满足包含在此数据表中的规格。所有设备的规格都开始生命的温度为室温。这
设备使用，只要有可能，设计规则，材料和制造的同类调制器产品注册过程已合格的JDSU 。
然而，这种装置被制造在低容量和尚未正式限定于特定的电信标准。而且设备的资格是不
通过这些规范暗示的保证。请联系销售人员JDSU对大批量购买的设备的详细信息。
JDSU [ JDS UNIPHASE CORPORATION ]
