APE模拟微波强度调制器
4
特定网络阳离子
参数
光学（注
1
)
工作波长
插入损耗（注
2
)
开/关消光比
光回损
电气（注
1
)
RF端口
RF输入功率
V
π
在1 GHz （注
3
)
阻抗
偏置端口
V
π
在DC
阻抗
从正交（注偏差
4
)
一般
材料
晶体取向
机械
输入光功率
电连接器（包装）
网络的BER
1320 nm器件，输入PM
1320 nm器件， SM输出
1550 nm器件，输入PM
1550 nm器件， SM输出
环境的
工作温度
储存温度
AM-130
AM-150
最低
最大
最低
最大
1320 ± 10 nm的
5.0分贝
20分贝
-45分贝
1550 ± 10 nm的
最大
最大
典型
最大
27 dBm的
5.5 V
50
Ω
10.5 V
>100千欧
±1 V
铌酸锂
X切，Y -传播
12 V
6.0 V
最大
200毫瓦
SMA连接器
藤仓SM 13 -P -7/ 125紫外/紫外100
SMF-28
藤仓SM 15 -P -8/ 125紫外/紫外100
SMF-28
0至70℃
-40到85°C
注：规格如有变更，恕不另行通知。所有设备的规格是在室温下和在生命的开始。这些器件为有限
量产车型。此装置的Telcordia的资格是没有计划在这个时候。
1.所有测量结果制成在23℃ ，除非另有说明。
2.光学损耗的测量是在所述调制器的传递函数的最大值，并且不包括当在正交操作发生的3分贝损耗。
3. V
π
被指定在所述调制器。 P
π
是必需的，以产生V中的功率
π
/ 2处的连接器。
4.优化失真性能，可能需要偏置控制。
JDSU [ JDS UNIPHASE CORPORATION ]
