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IXFH20N60 参数 Datasheet PDF下载

IXFH20N60图片预览
型号: IXFH20N60
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内容描述: HiPerFET功率MOSFET [HiPerFET Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 84 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH / IXFM 15 N60
IXFH / IXFM 20 N60
600 V
600 V
I
D25
15 A
20 A
R
DS ( ON)
0.50
W
0.35
W
t
rr
£
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
£
I
DM
, di / dt的
£
100 A / MS ,V
DD
£
V
DSS
,
T
J
£
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
15N60
20N60
15N60
20N60
15N60
20N60
最大额定值
600
600
±20
±30
15
20
60
80
15
20
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 ( IXFH )
( TAB )
TO- 204 AE ( IXFM )
D
G =门,
S =源,
G
D =排水,
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克, TO- 247 = 6克
特点
•国际标准封装
•低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关( UIS)
评级
•低封装电感
- 易于驾驶和保护
•快速内在整流器
应用
• DC-DC变换器
•同步整流
•电池充电器
•开关模式和谐振模式
电源
•直流斩波器
•AC电机控制
•温度和照明控制
•低电压继电器
优势
•易于使用1螺口( TO- 247 )
(隔绝安装螺纹孔)
•节省空间
•高功率密度
91526E (4/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
600
2.0
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
1
0.50
0.35
V
V
nA
mA
mA
W
W
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 • V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 • I
D25
15N60
20N60
脉冲测试,T
£
300
女士,
占空比ð
£
2 %
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