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IXBF9N140G 参数 Datasheet PDF下载

IXBF9N140G图片预览
型号: IXBF9N140G
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管高压
文件页数/大小: 4 页 / 93 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXBF 9N140  
IXBF 9N160  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
VGE = 17V  
VGE = 17V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
15V  
15V  
13V  
13V  
0
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18  
VCE - Volts  
VCE - Volts  
Fig. 1 Typ. Output Characteristics  
Fig. 2 Typ. Output Characteristics  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
VCE = 20V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
0
0
0
2
4
6
8
10  
4
6
8
10  
12  
14  
VGE - Volts  
VF - Volts  
Fig. 3 Typ. Transfer Characteristics  
Fig. 4 Typ. Characteristics of Reverse  
Conduction  
16  
14  
12  
10  
8
15  
10  
5
VCE = 600V  
IC = 5A  
TJ = 125°C  
VCEK < VCES  
6
IXBF 9N140  
IXBF 9N160  
4
2
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
400  
800  
1200  
1600  
QG - nanocoulombs  
VCE - Volts  
Fig. 5 Typ. Gate Charge characteristics  
Fig. 6 Reverse Biased Safe Operating Area  
RBSOA  
© 2000 IXYS All rights reserved  
3 - 4  
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