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IS61WV102416BLL-10TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61WV102416BLL-10TLI图片预览
型号: IS61WV102416BLL-10TLI
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内容描述: 1M ×16高速异步的CMOS静态RAM与3.3V电源 [1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用:
文件页数/大小: 21 页 / 123 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61WV102416ALL
IS61WV102416BLL
IS64WV102416BLL
真值表
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
®
模式
未选择
输出禁用
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
-0.5到V
DD
+ 0.5
-0.3〜 4.0
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性损坏
到设备。这是一个额定值,设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
DD
= 3.3V.
4
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1-800-379-4774
REV 。一
02/13/06