IS61LV25616AL-12T-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IS61LV25616AL-12T-TR
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内容描述：	[Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44,]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 68 K
品牌：	ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]

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IS61LV25616AL

ISSI

AC波形

写周期NO 。 1

（ CE控制，

是高还是低）

(1 )

地址

有效的地址

SCE

PWE1

PWE2

PBW

UB ， LB

HZWE

OUT

数据中，未定义

高-Z

LZWE

UB_CEWR1.eps

数据

有效

注意事项：

1.写是低状态的重叠时内部产生的信号断言

和

输入端和至少一个

该

和

投入低状态之中。

2.写= （ CE）

[

（LB） = （UB）

]

（WE）。

写周期NO 。 2

（我们控制。

是高在写周期）

(1,2)

地址

有效的地址

低

PWE1

UB ， LB

PBW

HZWE

OUT

数据中，未定义

高-Z

LZWE

UB_CEWR2.eps

数据

有效

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